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6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)品。

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硅基6 位光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)品。

SOI納秒電光光開關芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低

高精度7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)

7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產(chǎn)